I fisici confermano l'altermagnetismo nel tellururo di manganese
I ricercatori dello SLAC rilevano la chiralità negli spin elettronici e dimostrano un terzo stato magnetico.
Di Letizia Giugliano
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I fisici guidati dallo SLAC National Accelerator Laboratory hanno confermato l'esistenza di una terza fase magnetica nota come altermagnetismo. Riportata il 30 ottobre 2026 sulla rivista Science, l'innovazione fisica fornisce la prova sperimentale diretta della chiralità nel tellururo di manganese, verificando una struttura magnetica prevista solo nel 2022.
Rompere una dicotomia magnetica lunga novant'anni
Per quasi 90 anni, la fisica ha riconosciuto solo due tipi di magnetismo spontaneo. Nei ferromagneti, gli spin elettronici si allineano nella stessa direzione producendo un campo magnetico macroscopico. Negli antiferromagneti, scoperti nel 1933, gli spin si alternano in direzioni opposte e si annullano a vicenda, senza lasciare alcun campo magnetico esterno. La nuova innovazione pubblicata da Phys.org conferma che l'altermagnetismo combina tratti di entrambe le categorie. Presenta spin alternati che danno una magnetizzazione netta nulla, ma consente correnti di spin utilizzabili, di solito limitate ai ferromagneti.
«Negli ultimi anni, gli scienziati hanno osservato fenomeni che non rientrano perfettamente nella dicotomia ferromagnetismo-antiferromagnetismo.»
— Daniel Jost, associate scientist allo SLAC e allo Stanford Institute for Materials and Energy Sciences
Rilevare la chiralità negli spin elettronici
Per identificare l'altermagnetismo, i ricercatori hanno cercato la chiralità, ovvero la manualità strutturale. Mentre un altermagnete condivide con gli antiferromagneti tradizionali una sequenza di spin alternati su e giù, il reticolo cristallino attorno ai suoi spin rivolti verso l'alto è ruotato rispetto al reticolo attorno agli spin rivolti verso il basso. Secondo Phys.org, questa torsione geometrica rompe la simmetria spaziale e impedisce alla struttura atomica di sovrapporsi alla propria immagine speculare. L'autore principale Daniel Jost, associate scientist al SLAC National Accelerator Laboratory e allo Stanford Institute for Materials and Energy Sciences, ha lavorato insieme a membri del team tra cui Rachel Nickel dell'European Synchrotron Radiation Facility per verificare sperimentalmente questa manualità.
Prospettive per dispositivi di memoria e data center
La validazione sperimentale degli altermagneti nel tellururo di manganese stabilisce una piattaforma concreta per l'hardware futuro. I materiali che mostrano questo terzo stato potrebbero consentire agli ingegneri di manipolare le correnti di spin senza i campi magnetici dispersi che disturbano i circuiti ad alta densità. Come osservato da Phys.org, i ricercatori indicano possibili applicazioni nei dispositivi di memoria avanzati, nei data center ad alta densità e nelle tecnologie quantistiche, aprendo la strada a future opportunità di brevetto nell'informatica di nuova generazione.
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